封装/外壳：PG-TO262-3

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：120A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 118µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：165nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：13000pF @ 30V

功率耗散（最大值）：188W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.2 毫欧 @ 100A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：PG-TO262-3

安装风格：ThroughHole

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Id-连续漏极电流：120A

Rds On-漏源导通电阻：2.3mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：2V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：165nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+175C

配置：Single

Pd-功率耗散：188W

通道模式：Enhancement

商标名：OptiMOS

封装：Tube

高度：9.45mm

长度：10.2mm

系列：OptiMOS3

晶体管类型：1N-Channel

宽度：4.5mm

正向跨导 - 最小值：75S

下降时间：20ns

上升时间：120ns

典型关闭延迟时间：62ns

典型接通延迟时间：35ns

Vds-漏源极击穿电压：60V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs